模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024 z13352


第一章 单元测试

 

1、

电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V

模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第1张

A:对
B:错
答案: 对

2、

电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V

模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第2张

A:对
B:错
答案: 对

3、

电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于(   )V

模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第2张

A:0
B:3
C:2
D:1
答案: 0

4、

电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=(  )V

模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第4张

A:2.1
B:2.3
C:2.4
D:2.2
答案: 2.3

5、

稳压管的动态电阻愈大,稳压性能也就愈好

  •  

A:错
B:对
答案: 错

6、
稳压管的正常工作区是反向区

A:对
B:错
答案: 错

7、
二极管恒压降模型,是指二极管承受正向电压导通时,其管压降为恒定值,且不随电流而变化

A:对
B:错
答案: 对

8、
扩散电容是PN结加正向电压时,多数载流子在扩散过程中引起电荷积累而产生的

A:对
B:错
答案: 对

9、
当电源的正极接P区,负极接N区,称为PN结加正向电压,也称PN结正向偏置

A:对
B:错
答案: 对

10、
在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度

A:对
B:错
答案: 对

第二章 单元测试

1、
共集电极放大电路的电压放大倍数接近于(  )

A:1
B:2
C:4
D:3
答案: 1

2、

共集电极放大电路的输入电阻比较高

A:对
B:错
答案: 对

3、
共集电极放大电路的输出电阻比较低

A:对
B:错
答案: 对

4、
共基极电路的频率响应好,常用作宽带或高频放大电路

A:对
B:错
答案: 对

5、
直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大,而且便于电路集成化

A:错
B:对
答案: 对

6、
不管三极管工作在放大、截止还是饱和状态,都满足IC=BIB,这种说法正确吗

A:对
B:错
答案: 错

7、
若要求管子的反向电流小,工作温度高,则应选锗管

A:错
B:对
答案: 错

8、

由于ICBO对温度非常敏感,当温度升高时,ICBO增高很快,所以ICEO增加得也很快,IC也就相应增加

  •  
  •  

A:对
B:错
答案: 对

9、
Ul=-2V,U2=-5V,U3=-2.3V,锗管。3脚为B极,1脚为E极,2脚为C极

A:对
B:错
答案: 对

10、
Ul=8V,U2=2V,U3=2.7V,为硅管。3脚为B极,2脚为E极,1脚为C极

A:对
B:错
答案: 对

第三章 单元测试

1、
N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内           。

A:为正
B:可正可负
C:为负
答案: 可正可负

2、
N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压

A:对
B:错
答案: 错

3、
结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。

A:错
B:对
答案: 对

4、
跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系,Q点越高,gm越小

A:对
B:错
答案: 错

5、
输入加在栅极和源极间的输入回路,输出加在漏极和源极间的输出回路,这为共源极放大电路。

A:错
B:对
答案: 对

6、
如图所示的放大电路中,已知VDD=30V,R1=30 ,R2=200 ,Rd=15 ,Rs=1 ,Rg=20 ,负载电阻RL=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS。
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第5张

A:对
B:错
答案: 对

7、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第6张
求输出电阻表达式为模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第7张

A:对
B:错
答案: 对

8、
在图所示的放大电路中,已知DD=30V,1=30 ,2=200 ,d=15 ,s=1 ,g=20 ,负载电阻L=1 ,场效应管在Q点处的跨导gm=1.5mS模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第8张计算电压放大倍数为模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第9张

A:错
B:对
答案: 对

9、

模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第10张求静态工作点的步骤为是否正确?模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第11张

A:对
B:错
答案: 对

10、
N沟道结型场效应管正常工作,当uGS负向增大时,沟道电阻增大,iD将减小

A:错
B:对
答案: 错

第四章 单元测试

1、
两级放大电路的上限频率分别为f1 =100kHz,f2 =500kHz,则放大电路总的上限频率应为(    )kHz。

A:400
B:200
C:300
D:100
答案: 100

2、
如两级放大电路下限频率f1=20Hz,f2=120Hz,则放大电路总的下限频率应为(     )Hz

A:130
B:120
C:110
D:140
答案: 120

3、
两级放大电路由两个具有相同频率特性的单管放大电路组成,下限频率f=100Hz,则总下限频率为156Hz.

A:对
B:错
答案: 对

4、
直接耦合电路下限频率f=1Hz

A:错
B:对
答案: 错

5、
某放大电路的电压放大倍数为20dB,则该电路的电压放大倍数为(    )

A:8
B:15
C:5
D:10
答案: 10

6、
如图所示,试写出电压放大倍数表达式模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第12张模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第13张

A:对
B:错
答案: 对

7、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第14张下限频率为模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第15张

A:对
B:错
答案: 对

8、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第16张   相位差=1800

A:对
B:错
答案: 错

9、
                根据波特图写电压放大倍数模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第17张

A:对
B:错
答案: 对

10、
下限频率模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第18张下限频率表达式为模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第19张Ri=Rb

A:错
B:对
答案: 错

第五章 单元测试

1、
同型号的三极管可以复合而不同型号的三极管很难复合

A:对
B:错
答案: 错

2、
复合管准互补对称电路中靠近负载的两个输出管的型号是相同的,目的是这样使用使得电路更容易对称。

A:对
B:错
答案: 对

3、
功率放大电路按输出端与负载的耦合方式的不同,分为变压器耦合方式、无输出变压器(OTL)方式和无输出电容(OCL)方式

A:错
B:对
答案: 对

4、
乙类互补对称功率放大电路的能量转换效率最高是78.5%。

A:对
B:错
答案: 对

5、
饱和失真、截止失真和交越失真都属于非线性失真。

A:错
B:对
答案: 对

6、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第20张模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第21张模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第22张

A:16.5
B:17.5
C:18.5
D:19
答案: 17.5

7、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第23张模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第24张

A:对
B:错
答案: 对

8、
模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第25张模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第26张
计算是否正确?

A:对
B:错
答案: 对

9、
电路如图所示,VCC=20V模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第27张
静态时,负载 中的电流应该是多少______A ?

A:3
B:2
C:1
D:0
答案: 0

10、
若输出电压波形出现交越失真,应该调整R2模拟电子技术基础(山东理工大学) 知到智慧树答案2024  z13352第28张

A:对
B:错
答案: 对


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